5月22日消息，據(jù)媒體報道，三星將在2024年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)3nm Exynos處理器，命名為Exynos 2500，由三星Galaxy S25系列首發(fā)搭載。
資料顯示，去年臺積電率先量產(chǎn)商用3nm制程，由蘋果A17 Pro、M4首批搭載。
時隔一年時間，高通、聯(lián)發(fā)科也將擁抱3nm制程，今年下半年，高通驍龍8 Gen4、聯(lián)發(fā)科天璣9400等都將切入臺積電3nm工藝。
現(xiàn)在三星即將推出3nm芯片Exynos 2500，在3nm制程上，三星率先應(yīng)用了全環(huán)繞柵極工藝（GAA，全稱Gate-All-AroundT），打破了FinFET技術(shù)的性能限制。
具體而言，三星3nm GAA工藝通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時通過增加驅(qū)動電流增強(qiáng)芯片性能。
與5nm制程相比，三星3nm GAA工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%。
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