2月12日消息，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（CXMT）正在加速開(kāi)發(fā)下一代DRAM技術(shù)，其并未按原計(jì)劃為首款商用DDR5產(chǎn)品采用的17nm，而是直接采用了16nm制程技術(shù)。
下一代15nm制程技術(shù)也在現(xiàn)有制程基礎(chǔ)上進(jìn)行開(kāi)發(fā)中，目標(biāo)是在2025年內(nèi)開(kāi)發(fā)出該技術(shù)，并快在2026年下半年就能達(dá)成商業(yè)化的目標(biāo)。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)此前主要生產(chǎn)采用17-18nm制程的DDR4、LPDDR4X等成熟產(chǎn)品，2024年11月，該公司首次發(fā)布了LPDDR5產(chǎn)品，并在2025年稍早成功實(shí)現(xiàn)了DDR5的商業(yè)化目標(biāo)。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)對(duì)此次DDR5采用的制程技術(shù)一直充滿信心，如今事實(shí)證明，其下一代制程開(kāi)發(fā)速度比原計(jì)劃更快。
研究機(jī)構(gòu)TechInsights表示，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在完成17nm制程技術(shù)開(kāi)發(fā)后，緊接著完成了16nm制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)，因此首款商用DDR5產(chǎn)品采用了16nm制程技術(shù)。
此外，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)原計(jì)劃發(fā)展15nm制程技術(shù)，但受美國(guó)加強(qiáng)先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備出口限制影響，無(wú)法引進(jìn)EUV先進(jìn)制造設(shè)備，導(dǎo)致計(jì)劃暫時(shí)放緩。
不過(guò)隨著技術(shù)開(kāi)發(fā)的成熟，預(yù)計(jì)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)利用現(xiàn)有設(shè)備也足以開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)下一代制程，畢竟美光的13nm DRAM制程技術(shù)也沒(méi)有采用使用EUV。
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